HCS08单片机FLASH模拟EERPOM应用
 
介绍:
    本资料提供hcs08单片机上实现FLASH模拟EEPROM的整套可行方案;包括完整的源代码、示例程序及相关说明文档

开发环境:
     MCU: MC9S08AC16
    编译: CodeWarrior 6.3

原理
    HCS08单片机支持FLASH在应用编程,即用户程序可以擦除和修改程序存储器FLASH内容。利用这一特点可将FLASH用于类似EEPROM的目的,例如存储应用程序运行过程中可配置的参数等等。

在单片机系统中FLASH模拟EEPROM存在的问题

    EEPROM的特点是每一个字节可以单独的擦除和改写,而FLASH只能是一页一页的擦除,例如用户想修改FLASH中某一页中的某一字节内容,那么正常的顺序是:
1. 先将这一页全部读到一个RAM缓冲区当中,并在RAM中修改相应的字节内容
2. 擦除FLASH页
3. 将RAM缓冲区中的内容重新写回FLASH

以上的步骤不仅让应用程序感到不方便,同时也涉及到频繁的擦写操作会快速消耗FLASH擦写寿命;并且通常FLASH的允许擦写次数要比EEPROM的擦写次数小一个数量级。
 


源代码部分:
 



 

 

 

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